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      PW2337芯片，P溝道增強型MOSFET

      時間:2021-01-14 16:32:29來源: 作者: 點擊:次
      一般說明
      PW2337采用先進的溝道技術，提供優秀的RDS（ON），低柵電荷柵極電壓低至4.5V，適用于電池保護或在其他交換應用中。
      特征
      VDS=-100V，ID=-0.9A
      RDS（開）<650m

      一般說明
      PW2337采用先進的溝道技術，提供優秀的RDS（ON），低柵電荷柵極電壓低至4.5V，適用于電池保護或在其他交換應用中。
      特征
      VDS=-100V，ID=-0.9A
      RDS（開）<650mΩ@VGS=-10V
      提供3針SOT23-3封裝
      應用
      電池保護
      負荷開關
      不間斷電源

       

      絕對最大額定值（TA=25℃，除非另有說明）

      電氣特性

      容－源－電－子－網－為你提供技術支持

      非常感謝用戶kuakewei 的投稿！

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